Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
LSIC1MO120G0080
MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- LSIC1MO120G0
LSIC1MO120G0080 Hakkında
LSIC1MO120G0080, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) tabanlı güç transistörüdür. 1200V drain-source gerilim ve 39A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-4 paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük 100mOhm (Rds On @ 20A, 20V) değeri ile ısıl kayıpları minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Güneş enerjisi invertörleri, elektrikli araç dönüştürücüleri, endüstriyel AC/DC dönüştürücüler ve yüksek frekanslı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok