Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
LSIC1MO120G0040
MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- LSIC1MO120G0040
LSIC1MO120G0040 Hakkında
Littelfuse LSIC1MO120G0040, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayanan bir N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drenaj-kaynak gerilimi ve 70A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 50mΩ maksimum on-direnci 20V gate geriliminde 40A akımda sağlanır. TO-247-4L paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 357W güç yayabilir. Endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, invertörler ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir. Düşük gate kapasitansi (317pF) ve hızlı anahtarlama özelliği ile enerji verimliliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 175 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 317 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok