Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
LSIC1MO120G0025
MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- LSIC1MO120G0025
LSIC1MO120G0025 Hakkında
Littelfuse LSIC1MO120G0025, 1200V dayanıma sahip N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET transistördür. TO-247-4L paketinde sunulan bu bileşen, 70A sürekli drenaj akımı ve 32mOhm maksimum kapalı durum direnci (Rds On) ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 500W maksimum güç yayınlama kapasitesi ile endüstriyel sürücü kontrol, enerji dönüşümü, güç kaynakları, elektrik araç şarj sistemleri ve yenilenebilir enerji uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 265 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 495 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 50A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 30mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok