Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
LSIC1MO120E0160
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- LSIC1MO120E0160
LSIC1MO120E0160 Hakkında
LSIC1MO120E0160, Littelfuse tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 1200V Drain-Source gerilimi ve 22A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 200mOhm (20V, 10A'da) on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel çevirici devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. SiC teknolojisi sayesinde daha düşük güç kaybı ve yüksek sıcaklık kapasitesi sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 10A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok