Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
LSIC1MO120E0120
SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- LSIC1MO120E0120
LSIC1MO120E0120 Hakkında
LSIC1MO120E0120, Littelfuse tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisinde N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drenaj-kaynak gerilimi ve 27A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. 150mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir operasyon sunar. SiC teknolojisinin avantajlarıyla yüksek verimlilik ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile güç dönüştürme uygulamalarında, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel güç yönetim sistemlerinde kullanılır. 139W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile termal yönetimi etkin tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1125 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 14A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 7mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok