Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
LSIC1MO120E0080
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- LSIC1MO120E0080
LSIC1MO120E0080 Hakkında
Littelfuse LSIC1MO120E0080, 1200V derecelendirilmiş Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisi kullanarak tasarlanmış bir N-Channel MOSFET transistördür. 39A sürekli dren akımı kapasitesiyle, 100mOhm (20A, 20V) maksimum RDS(on) direnciyle çalışır. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürme sistemlerinde, invertörler ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 179W maksimum güç dağılımı kapasitesi, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygun hale getirir. Düşük gate charge (95nC @ 20V) sayesinde hızlı anahtarlama ve verimli sürücü devresi tasarımı mümkün kılınır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1825 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok