Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
LND150N8-G
MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- LND150N8
LND150N8-G Hakkında
LND150N8-G, Microchip Technology tarafından üretilen Depletion Mode N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 30mA sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. SOT-89-3 yüzey montaj paketi içinde sunulan bu bileşen, 0V gate-source geriliminde 1000Ohm maksimum Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve maksimum 1.6W güç tüketebilen bu transistör, anahtarlama devreleri, voltaj regülatörleri ve yüksek gerilim sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V |
| Supplier Device Package | SOT-89-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok