Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
LND150N3-G-P014
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- LND150N3-G
LND150N3-G-P014 Hakkında
LND150N3-G-P014, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj kapasitesi ve 30mA sürekli dren akımı ile çalışmaktadır. TO-92-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 1kΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç tasarımlarında kullanılır. Depletion mode özelliği sayesinde gerilim uygulanmadığında iletken durumda kalır. Yüksek voltaj uygulamaları, anahtarlama devreleri ve dijital mantık arayüzü tasarımlarında tercih edilir. Maximum güç tüketimi 740mW'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 740mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok