Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
LND150N3-G-P013
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- LND150N3
LND150N3-G-P013 Hakkında
LND150N3-G-P013, Microchip Technology tarafından üretilen N-kanal depletion mode MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 30mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon işlevleri için kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 1000Ohm (500µA, 0V) on-dirençine ve 740mW maksimum güç tüketimine sahiptir. Depletion mode özelliği sayesinde kapı gerilimi uygulanmadığında iletken durumda kalır. Endüstriyel kontrol devreler, yüksek gerilim anahtarlama uygulamaları ve sinyal işleme devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 740mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok