Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
LND150N3-G-P003
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- LND150N3
LND150N3-G-P003 Hakkında
LND150N3-G-P003, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistörüdür. 500V drain-source geriliminde 30mA sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, TO-92-3 paketinde sunulmaktadır. Rds On değeri 500µA, 0V şartlarında maksimum 1000 Ohm'dur. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir çalışma sağlar. Switching uygulamaları, amplifikasyon devreleri ve kontrol sistemlerinde kullanılır. 10pF giriş kapasitansı ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 740mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok