Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
LND150K1-G
MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- LND150K1
LND150K1-G Hakkında
LND150K1-G, Microchip Technology tarafından üretilen N-kanallı Depletion Mode MOSFET transistörüdür. 500V drain-source voltajı ve 13mA sürekli dren akımı kapasitesi ile çalışır. SOT-23-3 yüzey montajlı paketlemesi küçük alan gerektiren uygulamalara uyguntur. Maksimum 1kΩ on-state direnci (Rds On) ve 10pF input kapasitansi ile sahip olan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında 360mW güç yayılımı kapasitesi vardır. ±20V gate-source voltaj aralığında güvenli işletilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok