Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
JANTXV2N6849
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AF Metal Can
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N6849
JANTXV2N6849 Hakkında
JANTXV2N6849, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-205AF metal kutu paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (320mΩ @ 6.5A) sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve askeri uygulamalara uygunluğunu gösterir. Gate charge değeri 34.8nC ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. ±20V gate-source gerilimi aralığında güvenli şekilde çalışır. Güç kaynağı kontrolü, motor sürücüsü ve gerilim regülatörü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-205AF (TO-39) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok