Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

JANTXV2N6796

MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF

Paket/Kılıf
TO-205AF Metal Can
Seri / Aile Numarası
2N6796

JANTXV2N6796 Hakkında

JANTXV2N6796, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı özelliklerine sahip bu bileşen, TO-205AF metal kutu paketinde sunulmaktadır. 195mOhm (10V, 8A koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu transistör, güç elektroniği uygulamalarında, şalter devreleri, motor kontrolü ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar. Ürün halen üretilmemekte olup, arşiv uygulamaları için referans bileşen olarak kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.51 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package TO-205AF (TO-39)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok