Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
JAN2N6849
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AF Metal Can
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N6849
JAN2N6849 Hakkında
JAN2N6849, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 6.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-39 metal kutu paketinde sunulan bu bileşen, 320mOhm maksimum RDS(on) değeri ile iyi iletkenlik özellikleri sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 25W (Tc) maksimum güç tüketimi ile gerek endüstriyel gerekse askeri uygulamalarda (JAN serisi) güvenilir performans sunar. Switching regülatörleri, güç kontrol devreleri ve analog switch uygulamalarında tercih edilir. Parça güncel üretimde bulunmamakta olup, arşiv ve retro elektronik projelerde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok