Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
JAN2N6798
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AF Metal Can
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N6798
JAN2N6798 Hakkında
JAN2N6798, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-39 metal kasa paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 420mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, solenoid sürücüleri ve benzer kontrol devrelerinde yer alır. 42.07nC gate yükü ve 4V threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Microchip tarafından üretilen JAN versiyonu, askeri ve endüstriyel uygulamalara uygun kalite standardına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42.07 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok