Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

JAN2N6790

MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39

Paket/Kılıf
TO-205AF Metal Can
Seri / Aile Numarası
2N6790

JAN2N6790 Hakkında

JAN2N6790, Microchip Technology tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim ve 3.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-39 metal kutu paketinde sunulmaktadır. 10V gate sürüş geriliminde 850mOhm'luk düşük on-state direnci ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç anahtarlama uygulamaları ve gerilim düzenleyicilerde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 800mW maksimum güç saçması ile termik yönetimin sağlanabilir. Obsolete durumdaki bu bileşen, mühendislik ve onarım projelerinde bulunabilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 800mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-39
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok