Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
JAN2N6788
MOSFET N-CH 100V 6A TO39
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AF Metal Can
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N6788
JAN2N6788 Hakkında
JAN2N6788, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj dayanımı ile 6A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, güç anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-205AF metal kasa paketlemesi ile Through Hole montaj türünü destekler. 350mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve askeri uygulamalara uygundur. Maksimum 800mW güç dağıtım kapasitesi ile kontrollü anahtarlama devrelerinde yer alabilir. Komponentin obsolete (üretim dışı) durumda olduğu not edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok