Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
JAN2N6766
MOSFET N-CH 200V 30A TO3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-204AE
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N6766
JAN2N6766 Hakkında
JAN2N6766, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj kapasitesi ve 30A sürekli drain akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-204AE (TO-3) paketinde sunulan bu komponen, 10V gate sürüş voltajında 90mOhm on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün halen kullanımda olmakla birlikte, arşiv veri sayfaları ve teknik referanslar için mevcuttur. Gate charge değeri 115nC (@10V) olarak belirlenmiştir ve maksimum Vgs ±20V'dur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-204AE |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok