Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTY3N60P

MOSFET N-CH 600V 3A TO252

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IXTY3N60P

IXTY3N60P Hakkında

IXTY3N60P, Littelfuse tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. Maksimum 3A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrolü işlevlerinde kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan transistör, 70W maksimum güç tüketimini destekler. 2.9Ohm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarında kullanılmasına imkan tanır. Güç kaynakları, motor kontrol, koruma devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 411 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok