Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTY2R4N50P

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IXTY2R4N50P

IXTY2R4N50P Hakkında

IXTY2R4N50P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilimi ve 2.4A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 3.75Ω maksimum RDS(on) değeriyle düşük geçiş kaybı sağlar. Güç kaynakları, AC-DC konverterler, motor sürücüleri ve ağır yük anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Maksimum gate gerilimi ±30V olup, 6.1nC gate yükü sayesinde hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Bileşen Obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.75Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok