Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTY2N100P
MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTY2N100P
IXTY2N100P Hakkında
IXTY2N100P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source voltaj kapasitesi ve 2A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürücü, inverter, anahtarlama devreleri ve yüksek voltaj kontrol uygulamalarında tercih edilir. 7.5Ω Rds(on) değeri ile düşük açık direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10V gate drive voltajında 24.3nC gate charge ve 655pF input capacitance özellikleri ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. Maximum 86W güç dissipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 655 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok