Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTY1R6N50P
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTY1R6N50P
IXTY1R6N50P Hakkında
IXTY1R6N50P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 1.6A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) pakette sunulan bu bileşen, 6.5Ω maksimum kanal direnci (Rds On) ve 3.9nC gate charge özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate drive voltajıyla kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok