Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTY1R6N50D2-TRL

MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2-TRL Hakkında

IXTY1R6N50D2-TRL, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source voltaj kapasitesine sahip olup, 1.6A sürekli drenaj akımı sağlayabilmektedir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç (RdsOn) değeriyle anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, 100W maksimum güç dağılımı sağlar ve 23.7nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 645 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok