Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTY1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTY1R6N50D2
IXTY1R6N50D2 Hakkında
IXTY1R6N50D2, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistördür. 500V Drain-Source geriliminde 1.6A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulmaktadır. 2.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, sürücü devreleri ve gerilim regülatörlerinde kullanılır. 100W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile orta güç uygulamalarında tercih edilir. ±20V maksimum Gate-Source gerilimi ile geniş işletme aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 645 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 800mA, 0V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok