Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTY1R6N100D2-TRL
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTY1R6N100D2
IXTY1R6N100D2-TRL Hakkında
IXTY1R6N100D2-TRL, Littelfuse tarafından üretilen 1000V N-Channel MOSFET transistörüdür. 1.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrol işlevlerini gerçekleştirir. 10Ω maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyumludur. Güç kaynağı devreleri, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 100W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 645 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok