Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTY1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTY1R6N100D2
IXTY1R6N100D2 Hakkında
IXTY1R6N100D2, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 1000V drain-source gerilimi ve 1.6A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10Ω maksimum RDS(on) değeri ile açık devre halindeyken düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihazlarda, endüstriyel anahtarlama devreleri, koruma sistemleri ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. 27nC gate charge ve 645pF input capacitance özellikleri ile kontrollü anahtarlama karakteristiği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 645 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok