Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTY1R4N60P
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTY1R4N60P
IXTY1R4N60P Hakkında
IXTY1R4N60P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 1.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu transistör, 9Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük kanat direnci sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 50W güç saçıtma kapasitesine sahiptir. Anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle de AC-DC güç dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 700mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok