Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTY1R4N120PHV
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTY1R4N120PHV
IXTY1R4N120PHV Hakkında
IXTY1R4N120PHV, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 1.4A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 10V gate sürüş gerilimi ile çalışan transistör, 13Ω maksimum RDS(on) direncine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 666 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13Ohm @ 700mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok