Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTY1R4N100P
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTY1R4N100P
IXTY1R4N100P Hakkında
IXTY1R4N100P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source gerilim kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken elementidir. 1.4A sürekli drain akımı ve 11Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç dönüştürme, anahtar ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. TO-252 (DPak) paketine sahip olup -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol sistemleri, enerji yönetimi, motor kontrol ve elektrik araç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok