Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTY1N80P

MOSFET N-CH 800V 1A TO252

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IXTY1N80P

IXTY1N80P Hakkında

IXTY1N80P, Littelfuse tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. 1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 14Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç denetimi devrelerinde, anahtarlama güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 9nC gate charge ve 250pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemini destekler. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol marjı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok