Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTY1N80

MOSFET N-CH 800V 750MA TO252AA

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IXTY1N80

IXTY1N80 Hakkında

IXTY1N80, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 750mA sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 11Ohm maksimum on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol uygulamaları ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen IXTY1N80, 4.5V eşik gerilimi ile TTL/CMOS uyumlu kontrol sinyallerine yanıt verir. 40W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 750mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok