Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTY1N120PTRL

MOSFET N-CH 1200V 1A TO252

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IXTY1N120P

IXTY1N120PTRL Hakkında

IXTY1N120PTRL, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source gerilimi ve 1A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 20Ω (10V, 500mA) maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate eşik gerilimi 4.5V olup, ±30V maksimum gate geriliminde çalışabilir. -55°C ile +150°C arasında sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 63W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç elektoniği uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 445 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok