Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTY18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO252
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTY18P10T
IXTY18P10T Hakkında
IXTY18P10T, Littelfuse tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. 120mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında ve 83W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle geniş uygulama yelpazesinde yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok