Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTY08N100P
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTY08N100P
IXTY08N100P Hakkında
IXTY08N100P, Littelfuse tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source gerilimi ve 800mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kontrol uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak çalışır. 20Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V gate gerilim sınırı ve 4V threshold gerilimi ile yapılandırılmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Aktif üretimde olan bu komponentin maksimum güç tüketimi 42W'dır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 240 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok