Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTY08N100D2

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IXTY08N100D2

IXTY08N100D2 Hakkında

IXTY08N100D2, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 1000V Drain-Source gerilim ile 800mA sürekli akım kapasitesine sahip olan bu transistör, TO-252 (DPak) paketinde sunulmaktadır. 21Ohm RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kondüksiyon kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlı regülatörler ve yüksek gerilim anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. TO-252 montaj tipi, PCB'ye direkt lehimleme ile kolaylı yerleştirilme imkanı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21Ohm @ 400mA, 0V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok