Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTY02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTY02N120P
IXTY02N120P Hakkında
IXTY02N120P, Littelfuse tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 200mA sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 75Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç dönüştürme devrelerinde verimli çalışır. TO-252 (DPak) SMD paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uyarlanabilir. Sınır sıcaklık aralığı -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge karakteristiği ve input capacitance değerleri hızlı anahtarlama uygulamalarında kontrol edilebilir performans sağlar. Endüstriyel güç yönetimi, motor kontrolü ve dönüştürücü devrelerde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 104 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok