Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTY01N100D-TRL

MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IXTY01N100D

IXTY01N100D-TRL Hakkında

IXTY01N100D-TRL, Littelfuse tarafından üretilen N-kanal depletion mode MOSFET'tir. 1000V drain-source voltajında 400mA sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 80Ω (50mA, 0V) maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 1.1W (Ta) güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Güç kaynakları, inverter devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80Ohm @ 50mA, 0V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok