Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTY01N100

MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IXTY01N100

IXTY01N100 Hakkında

IXTY01N100, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source gerilimi ve 100mA sürekli drenaj akımı özelliklerine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi yapar. 80Ω maksimum kanal direnci (10V gate geriliminde) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, AC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6.9nC gate charge ve 54pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama kabiliyeti sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 54 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80Ohm @ 100mA, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok