Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTX6N200P3HV

MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-247-3 Variant
Seri / Aile Numarası
IXTX6N200P3

IXTX6N200P3HV Hakkında

IXTX6N200P3HV, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 2000V drain-source voltaj ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bir komponenttir. 6A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 4Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kontrol devreleri, switching uygulamaları ve yüksek voltaj inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 960W güç yayabilir. Gate charge karakteristiği 143nC (@10V) ile kontrol devresine düşük yük getiren bir yapıya sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 2000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3 Variant
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-247PLUS-HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok