Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTX200N10L2

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IXTX200N10L2

IXTX200N10L2 Hakkında

IXTX200N10L2, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 200A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 11mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile enerji tasarrufu sağlar. Gate charge değeri 540nC'dir ve threshold gerilimi 4.5V'dur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan IXTX200N10L2, endüstriyel güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücü ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1040W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PLUS247™-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok