Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTU1R4N60P
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTU1R4N60P
IXTU1R4N60P Hakkında
IXTU1R4N60P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 1.4A sürekli drain akımı sağlar. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan transistör, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. 10V gate voltajında maksimum 9Ohm on-direnç değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kolayca kullanılabilir. Maksimum 50W güç harcaması ile kontrollü termal yönetim gerektirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 700mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok