Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTU01N80

MOSFET N-CH 800V 100MA TO251

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IXTU01N80

IXTU01N80 Hakkında

IXTU01N80, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 100mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş gerilimiyle 50Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında, 25W güç saçma kapasitesiyle anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 8nC gate charge ve 60pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50Ohm @ 100mA, 10V
Supplier Device Package TO-251AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok