Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTT75N10

MOSFET N-CH 100V 75A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXTT75N10

IXTT75N10 Hakkında

IXTT75N10, Littelfuse tarafından üretilen 100V drain-source gerilimi ve 75A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 20mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 300W güç dağıtım kapasitesi ile güç dönüştürme devrelerinde, motor sürücülerinde, DC-DC konvertörlerde ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş gerilimi ve 260nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 37.5A, 10V
Supplier Device Package TO-268AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok