Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTT6N120
MOSFET N-CH 1200V 6A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTT6N120
IXTT6N120 Hakkında
IXTT6N120, Littelfuse tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source gerilimi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 6A sürekli drain akımı ve 2.6Ω maksimum on-state direncine sahiptir. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel uygulamalar, anahtar modüler kaynaklar, UPS sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V gate gerilimi aralığında ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 300W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok