Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTT69N30P

MOSFET N-CH 300V 69A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXTT69N30P

IXTT69N30P Hakkında

IXTT69N30P, Littelfuse tarafından üretilen 300V drain-source voltajında çalışabilen N-Channel MOSFET transistördür. 69A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate drive voltajında 49mOhm'luk düşük on-resistance karakteristiğine sahiptir. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığında 500W güç taşıyabilmektedir. 180nC gate charge ve 4960pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında yer alır. AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 69A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4960 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-268AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok