Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTT60N10
MOSFET N-CH 100V 60A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTT60N10
IXTT60N10 Hakkında
IXTT60N10, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 60A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 20mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-268-3 (D³Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 110nC gate charge ve ±20V maksimum gate-source gerilimi ile hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 300W güç dağıtabilir. Motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok