Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTT52N30P

MOSFET N-CH 300V 52A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXTT52N30P

IXTT52N30P Hakkında

IXTT52N30P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source gerilimi ve 52A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılan bir güç transistörüdür. 10V gate sürüş geriliminde 66mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama özelliği sağlar. TO-268 (D³Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 400W maksimum güç tüketimine dayanıklıdır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında motor kontrol, güç kaynakları, invertörler ve endüstriyel anahtar uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3490 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-268AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok