Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXTT50P10
MOSFET P-CH 100V 50A TO268
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXTT50P10
IXTT50P10 Hakkında
IXTT50P10, Littelfuse tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 50A sürekli drain akım kapasitesine sahiptir. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 55mOhm RDS(on) değeri ile düşük ısıl direnç sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 300W güç dissipasyonunu tolere edebilir. Yüksek frekanslı güç anahtarlama uygulamaları, DC/DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devreleri gibi alanlarda kullanılır. 140nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-268AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok