Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTT3N200P3HV

MOSFET N-CH 2000V 3A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXTT3N200P3

IXTT3N200P3HV Hakkında

IXTT3N200P3HV, Littelfuse tarafından üretilen 2000V N-channel MOSFET'tir. 3A kontinü drain akımı ve 8Ω maksimum RDS(on) değerleri ile yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılır. TO-268 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç yönetimi, anahtar kaynakları (SMPS), motor kontrol devreleri ve yüksek voltajlı dönüştürücülerde yer bulur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen komponen, 520W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 70nC gate charge ve 1860pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 2000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1860 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-268HV (IXTT)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok