Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXTT30N60P

MOSFET N-CH 600V 30A TO268

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
IXTT30N60P

IXTT30N60P Hakkında

IXTT30N60P, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj derecesi ve 30A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 240mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu bileşen, ±30V gate voltaj aralığında çalışır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. 540W maksimum güç dağıtma kapasitesi ile termal yönetimi etkili tasarımlara olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5050 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-268AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok